BSC076N04NDATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N04NDATMA1 von Infineon und BSC0901NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N04NDATMA1 BSC0901NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Gehäuse — PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
Pin-Anzahl — 8
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Halogenfrei — Yes

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