BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC084P03NS3GATMA1 BSC0902NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C (junction)
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر