BSC0901NSIATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0901NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0901NSIATMA1 BSC076N04NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر