BSC0902NSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC010NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC0902NSIATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS (Trench) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |