BSC0902NSIATMA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0902NSIATMA1 BSP88H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر