BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC098N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC360N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC098N10NS5ATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 9.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 69 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 63 A (Tc=25C) | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 240 A (Tc=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55°C to +150°C (junction) |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| Shipping Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |