BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC117N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N012ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC117N08NS5ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS-7 (trench) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| تبديد القدرة (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |