BSL308CH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL308CH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
العلبة PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
عدد الأطراف — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر