BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP135H6906XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ نشط
Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSP315PH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
عدد الأطراف — 4 (3 leads + drain tab)
حالة RoHS — Compliant
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر