BSP89H6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP89H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP89H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, enhancement mode N-Channel MOSFET
Technology SIPMOS (planar power MOS) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 240 V (VGS=0, ID=250 µA) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 0.35 A —
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (Tj) —
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) 70 K/W (6 cm² PCB) —
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) 25 K/W —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
dv/dt Rated Yes —
ESD Protection Internal gate-source Zener —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per ordering code H6327) AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر