BSR315PH6327XTSA1 vs ITS4200SMENHUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و ITS4200SMENHUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSR315PH6327XTSA1 ITS4200SMENHUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) —
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (TJ) -40 C to +125 C (industrial)
العلبة PG-SC59-3 / SOT-23-3 SOT-223-4 (PG-SOT223-4)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) No (industrial grade only)
Product Type — Smart High-Side Power Switch
البنية الطوبولوجية — N-Channel MOSFET, High-Side
Nominal Load Current — 0.7 A
On-State Resistance (Ron) — [DATA_NEEDED: Ron typ/max]
Operating Voltage Range — 5 V to 41 V
Overvoltage Protection (Load Dump) — 41 V
Input Logic Level — CMOS-compatible
Short-Circuit Protection — Yes (current limitation)
الإيقاف الحراري — Yes (with restart)
Undervoltage Shutdown — Yes
Open-Load Detection — Yes (OFF-state diagnostic)
Status / Diagnostic Output — Yes
Quiescent Current (standby) — [DATA_NEEDED: Iq typ]
Family — PROFET™ Industrial
Channel Count — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر