BSS119NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS119NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS138NH6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS119NH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT-23 (3-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape and Reel
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر