BSS83PH6327XTSA1 vs BSS84PH6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS83PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS84PH6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS83PH6327XTSA1 | BSS84PH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | AEC-Q101 (Automotive) |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS84PH6327XTSA2 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 360 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 8 ohm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| Technology Family | — | SIPMOS OptiMOS |
| Polarity | — | P-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |