BSS87H6327FTSA1 vs BSS205NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon و BSS205NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS87H6327FTSA1 BSS205NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
العلبة PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
عدد الأطراف 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS205NH6327XTSA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> — 20 V
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) — 2.5 A
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) — 500 mW
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) — 85 mΩ
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Drive Voltage — Logic-level compatible
Qualification — AEC-Q101
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging — Tape & Reel (H6327)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر