BSZ0501NSIATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0501NSIATMA1 بواسطة Infineon و ISZ033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ0501NSIATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ]
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj max] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V max @ 30 uA
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Technology — OptiMOS 5

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر