BSZ0501NSIATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0501NSIATMA1 מאת Infineon ו ISZ033N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0501NSIATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
מארז PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ]
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V max @ 30 uA
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Technology — OptiMOS 5

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר