BSZ096N10LS5ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ096N10LS5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ096N10LS5ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | 20 V (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | 40 A | — |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | 62 A | — |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | 160 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 9.6 mΩ at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (low single-volt range) | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 40 A (TC=25 °C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (junction) | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ESD Protection | Yes (gate-integrated) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Code | ATMA1 (tape and reel) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |