BTG7003A1EPWXUMA2 vs BTM9011EPXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTG7003A1EPWXUMA2 بواسطة Infineon و BTM9011EPXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BTG7003A1EPWXUMA2 - 15.7A PROFET Wire Guard High-Side Switch | Infineon
BTG7003A1EPWXUMA2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BTG7003A1EPWXUMA2 | BTM9011EPXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Motor Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Switch Type | High-Side Power Switch | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | 1:1 N-Channel | — |
| Maximum Continuous Load Current | 15.7 A | — |
| Operating Voltage Range | 6 V to 18 V | — |
| Load Dump Tolerance | 40 V | — |
| Idle Mode Quiescent Current | 50 µA | — |
| On-Resistance R_DS(on) | 10 mΩ (typ) | — |
| Control Input | Active High | — |
| Wire Protection | Integrated I²t | — |
| Functional Safety | ISO 26262 compliant | — |
| العلبة | PG-TSDSO-14-22 (exposed pad) | PG-TSDSO-14 with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +150C (TJ) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| البنية الطوبولوجية | — | Full-bridge (H-bridge) with integrated power MOSFETs |
| Output Current Limit | — | 10 A (typ) |
| Path Resistance (per HS+LS) | — | 175 mΩ typical at 25 °C |
| Pulse Current (tpulse ≤ 1 s at 85 °C) | — | 5.2 A |
| Pulse Current (tpulse ≤ 10 s at 85 °C) | — | 4.2 A |
| Supply Voltage Range (normal) | — | 7 V to 18 V |
| Supply Voltage Range (extended) | — | 4.5 V to 40 V |
| PWM Frequency | — | up to 20 kHz |
| الواجهة | — | SPI (status, configuration, diagnostics) |
| Current Limitation | — | Min, integrated |
| Technology | — | BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) monolithic |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 |
| Operating Temperature (junction) | — | -40 °C to +150 °C |