BTS51202EKAXUMA1 vs BTF3050TEATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS51202EKAXUMA1 بواسطة Infineon و BTF3050TEATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS51202EKAXUMA1 BTF3050TEATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Dual High-Side Switch (2 channels) —
Technology Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Number of Channels 2 —
On-State Resistance (RDS(on)) 120 mΩ (typical per channel) —
Continuous Output Current 2 A per channel (typical 2.5 A) —
Operating Voltage (Vbb) 8 V to 18 V —
Load Type Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads —
العلبة PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (DPAK tab)
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C —
Maximum Power Dissipation 1800 mW —
Integrated Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery —
Diagnostic Output Yes (status feedback pin) —
Charge Pump Integrated —
Automotive Qualified Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Switch Type — N-Channel Low-Side Power Switch
تكوين الخرج — 1:1 (Single channel)
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 100 mOhm
Current Limit (Internal) — 30 A
Logic Input Voltage (Vcc) — 3.0 V to 5.5 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Turn-On Time Max — 15 us
Turn-Off Time Max — 30 us
Adjustable Slew Rate — Yes (SR pin)
ESD Protection — Yes (on-chip)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Family — HITFET+ (low-side)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر