BTS72002EPAXUMA1 vs BTS3104SDRATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS72002EPAXUMA1 بواسطة Infineon و BTS3104SDRATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS72002EPAXUMA1 BTS3104SDRATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch (PROFET+2) Low-side power switch (HITFET family)
البنية الطوبولوجية 2 x High-Side N-Channel (2:1 outputs) —
Number of Channels 2 1
On-State Resistance (RDS(on)) 66.5 mOhm per channel (typical) —
Continuous Load Current 1.2 A per channel —
حد التيار 0.8 V to 1.2 A (adjustable) —
Operating Voltage (VS) 6 V to 18 V nominal, up to 28 V extended —
Reverse Battery Capability Yes, down to -28 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current in uA] [DATA_NEEDED: standby current]
Protection Features Over-current, short-circuit, over-temperature, over-voltage, reverse polarity Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Diagnostic Output Current sense IS pin (analog) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C junction —
العلبة PG-TSDSO-14 (14-pin TSSOP with exposed pad) PG-TO252-3-11 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100 qualified
مستوى MSL 2A (4 weeks) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
تكوين الخرج — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر