BTT62001ENAXUMA1 vs TLE75080ESHXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTT62001ENAXUMA1 بواسطة Infineon و TLE75080ESHXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTT62001ENAXUMA1 TLE75080ESHXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch —
البنية الطوبولوجية 1:1 N-Channel High-Side High-side, N-channel MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A —
Operating Voltage Range 5 V to 48 V [DATA_NEEDED: VS/VBAT range]
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
العلبة PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TSDSO-24-21 (TSDSO-24, exposed thermal pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C junction -40 C to +150 C (junction, AEC-Q100)
مستوى MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
الوظيفة — 8-channel high-side power switch with 16-bit SPI
Number of Channels — 8
Channel Current (continuous) — 330 mA per channel
الواجهة — 16-bit SPI, plus parallel input
PWM Capability — Integrated PWM generators per channel
Nominal Supply Voltage (VBAT) — 12 V (automotive)
Limp Home Mode — Yes (predefined safe pattern on SPI loss)
Per-channel Diagnostics — Open load, short to GND, short to VBAT, overtemperature
Fault Behavior — Selectable latching or auto-restart
Automotive Qualification — AEC-Q100
حالة RoHS — Compliant
Technology Family — Infineon SPIDER (Smart Power)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر