EP1C3T100C7N vs EP1C3T100C8 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP1C3T100C7N بواسطة Intel و EP1C3T100C8 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP1C3T100C7N | EP1C3T100C8 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | نهاية العمر الإنتاجي |
| Family | Cyclone I | Cyclone I |
| Logic Elements | 2,910 | 2,910 LEs |
| Embedded RAM Bits | 58,896 | — |
| M4K RAM Blocks | 13 | 13 (4 Kbit each) |
| PLLs | 1 | 1 general-purpose PLL |
| Maximum User I/O | 65 | — |
| العلبة | 100-pin TQFP (T100) | TQFP-100 (14x14 mm) |
| Lead Pitch | 0.5 mm | — |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| Process Technology | 0.13 µm SRAM | — |
| Speed Grade | -7 | -8 (commercial) |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to +85 °C (Commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Method | Serial (EPCS1/EPCS4) or JTAG | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2, SSTL-3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Core Process | — | 0.13 µm SRAM |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| Total RAM Bits | — | 59,904 bits |
| Embedded Multipliers | — | Not present on EP1C3 |
| Global Clock Networks | — | 8 |
| User I/O Pins | — | 65 |
| Configuration Modes | — | AS, PS, JTAG |
| I/O Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS |
| Lifecycle | — | EOL per PDN1810 (since 2019) |