EP1C3T100C7N vs EP1C3T100C8 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1C3T100C7N द्वारा Intel और EP1C3T100C8 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1C3T100C7N | EP1C3T100C8 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | उत्पादन बंद |
| Family | Cyclone I | Cyclone I |
| Logic Elements | 2,910 | 2,910 LEs |
| Embedded RAM Bits | 58,896 | — |
| M4K RAM Blocks | 13 | 13 (4 Kbit each) |
| PLLs | 1 | 1 general-purpose PLL |
| Maximum User I/O | 65 | — |
| पैकेज | 100-pin TQFP (T100) | TQFP-100 (14x14 mm) |
| Lead Pitch | 0.5 mm | — |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| Process Technology | 0.13 µm SRAM | — |
| Speed Grade | -7 | -8 (commercial) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 °C to +85 °C (Commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration Method | Serial (EPCS1/EPCS4) or JTAG | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2, SSTL-3 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Core Process | — | 0.13 µm SRAM |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| Total RAM Bits | — | 59,904 bits |
| Embedded Multipliers | — | Not present on EP1C3 |
| Global Clock Networks | — | 8 |
| User I/O Pins | — | 65 |
| Configuration Modes | — | AS, PS, JTAG |
| I/O Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL-2/3, LVDS, RSDS |
| Lifecycle | — | EOL per PDN1810 (since 2019) |