EP1S10F484C6N vs EP1S10F484C7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP1S10F484C6N بواسطة Intel و EP1S10F484C7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP1S10F484C6N | EP1S10F484C7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | NRND |
| Family | Stratix | Stratix (EP1S) |
| Logic Elements / Cells | 10,570 | — |
| Number of LABs / CLBs | 1,057 | — |
| Total RAM Bits | 920,448 | — |
| Number of User I/O | 335 | — |
| العلبة | 484-FBGA (23 × 23 mm, 1.0 mm pitch) | 484-ball FineLine BGA (FBGA-484), 23 x 23 mm, 1 mm pitch |
| Process Technology | 130 nm CMOS | 130 nm CMOS |
| Supply Voltage - Operating | 1.425 V to 1.575 V (core 1.5 V) | — |
| Speed Grade | C6 | C7 (-7) |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to 85 °C (TJ) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (SMT) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Configuration Method | SRAM - volatile (JTAG / passive serial / passive parallel / fast passive parallel) | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, PCI, SSTL, HSTL, LVDS | — |
| On-chip Resources | TriMatrix memory (M512, M4K, M-RAM), DSP blocks, PLLs | — |
| Manufacturer | — | Intel (formerly Altera) |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Logic Elements | — | 10,570 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 1,057 |
| Embedded Memory (Total) | — | 920,448 bits |
| Embedded Memory Blocks | — | TriMatrix (M512/M4K/M-RAM) |
| Embedded DSP Blocks | — | 48 |
| Maximum User I/O | — | 335 |
| PLLs | — | 12 |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0 C to +85 C |
| Configuration Methods | — | JTAG, Passive Serial, Passive Parallel |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |