EP3SE110F780C3N vs EP3SE110F780I3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE110F780C3N بواسطة Intel و EP3SE110F780I3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE110F780C3N EP3SE110F780I3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LEs) 107,500 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 8,936,448 (approximately 1.1 MB)
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 4,300
User I/Os 488 —
العلبة 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA)
Core Voltage 1.1 V 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V)
Process Technology 65 nm 65 nm CMOS
Maximum Operating Frequency 500 MHz —
DSP Blocks Yes (integrated, count varies by configuration) —
Transceiver Channels 8 (multi-gigabit) —
Embedded Memory TriMatrix (MLAB + M9K + M144K) —
Configuration Method Serial / Parallel via Quartus II —
Operating Temperature Grade Commercial (C suffix) —
حالة RoHS Compliant Compliant
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Logic Elements — 107,500
Maximum User I/Os — 488
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade)
Configuration Interface — Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1)
Boundary-Scan Test — Yes, per IEEE Std. 1149.1
Speed Grade — 3 (Fast)
PLLs — Yes, with global and regional clock networks
Supply Voltage Tolerance — 1.05 V to 1.15 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر