EP3SE110F780I3N vs EP3SE110F780I4N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE110F780I3N بواسطة Intel و EP3SE110F780I4N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE110F780I3N EP3SE110F780I4N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND NRND
Family Stratix III E —
Logic Elements 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) 8,936,448 bits
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) —
Process Technology 65 nm CMOS —
العلبة 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-ball FCBGA (FineLine BGA)
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (industrial)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 4
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Series — Stratix III E
Number of LABs/CLBs — 4300
Number of Logic Elements / Cells — 107500
Number of I/O — 488
Package Code (JEDEC) — BGA, 780 pins
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal]
Process Node — 40 nm
Lead Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر