EP3SE110F780I3N vs EP3SE110F780I4N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE110F780I3N द्वारा Intel और EP3SE110F780I4N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE110F780I3N EP3SE110F780I4N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
Family Stratix III E —
Logic Elements 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) 8,936,448 bits
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) —
Process Technology 65 nm CMOS —
पैकेज 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-ball FCBGA (FineLine BGA)
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (industrial)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 4
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Series — Stratix III E
Number of LABs/CLBs — 4300
Number of Logic Elements / Cells — 107500
Number of I/O — 488
Package Code (JEDEC) — BGA, 780 pins
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal]
Process Node — 40 nm
Lead Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]

डेटाशीट और संसाधन

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