EP3SE50F780C3N vs EP3SE50F780C4LN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE50F780C3N بواسطة Intel و EP3SE50F780C4LN بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE50F780C3N | EP3SE50F780C4LN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 47,500 | 47,500 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 1,900 | — |
| Embedded Memory (M9K blocks) | 312 | — |
| Total Embedded Memory | 5,760 Kbit (5.76 Mbit) | — |
| DSP Blocks | 432 | Yes (embedded multipliers) |
| Maximum User I/Os | 488 | — |
| Number of PLLs | 4 | — |
| Process Technology | 65 nm | — |
| Core Voltage | 1.1 V | 0.9 V |
| Speed Grade | C3 (medium) | C4 |
| Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | — |
| العلبة | 780-ball FC-FBGA | 780-ball FC-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| LABs (Logic Array Blocks) | — | 1,900 |
| Embedded Memory | — | 5,760,000 bits |
| User I/Os | — | 488 |
| Process Node | — | 65 nm |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C (Commercial) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (L suffix) |
| Maximum Toggle Frequency | — | 375 MHz |
| Configuration Modes | — | Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG |
| Block RAM Type | — | M9K + M144K |
| Memory Architecture | — | SRAM-based, reprogrammable |