EP4CE115F23I7N vs EP4CE15U14A7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE115F23I7N بواسطة Intel و EP4CE15U14A7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE115F23I7N | EP4CE15U14A7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Family | EP4CE115 (F23 package) | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 114,480 | 15,408 |
| Embedded Memory Bits | 3,981,312 bits | — |
| Maximum User I/Os | 280 | 165 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 7,180 | — |
| Number of PLLs | 4 | — |
| 18x18 Hardware Multipliers | 266 | — |
| Core Voltage | 1.0 V / 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage Banks | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +100C (Industrial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch | 256-ball UBGA (Ultra-FineLine BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS (TSMC) | — |
| Configuration Method | JTAG, Active Serial, Active Parallel | — |
| مستوى MSL | 3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Memory Bits | — | 516,096 bits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 56 |
| General-Purpose PLLs | — | 4 |
| Speed Grade | — | 7 |
| Process Node | — | 60 nm low-power |
| Configuration Modes | — | JTAG, AS, AP, PS |
| Bitstream Encryption | — | AES-128 (security-enhanced variant) |
| External Memory Support | — | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II |