EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F29C7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE75F29I7 بواسطة Intel و EP4CE75F29C7N بواسطة Altera. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F29C7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Altera |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | 2,810,880 |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | — |
| User I/O Count | 426 | — |
| العلبة | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FineLine BGA (F29), 29x29 mm |
| درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +100 °C (Industrial) | — |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | JTAG, AS, PS, FPP |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 75,408 |
| Memory Blocks | — | M9K (9 Kbit blocks) |
| Maximum User I/O | — | 426 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 200 |
| General-purpose PLLs | — | 4 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Process Technology | — | 60 nm low-power |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | C7 (commercial, 7th speed bin) |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0C to +85C |
| LVDS Support | — | Up to 3.125 Gbps (dedicated SERDES blocks) |