EP4CGX50DF23C7N vs EP4CGX50DF23C6N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX50DF23C7N بواسطة Intel و EP4CGX50DF23C6N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CGX50DF23C7N | EP4CGX50DF23C6N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 49,888 | 49,888 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,118 | 3,118 |
| Total RAM Bits | 2,432 Kbit (≈ 304 KB) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 2 | — |
| Global Clock Networks | 8 (with up to 16 clock pins per region) | — |
| Number of I/O Pins | 290 | — |
| Transceivers | Up to 8 channels, 3.125 Gbps | — |
| Process Technology | 60 nm | 60 nm |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| العلبة | 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | — |
| Supported Memory Interfaces | DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free variant) | — |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | — |
| Embedded Memory | — | 2,340 Kbits |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Number of Pins / Balls | — | 484 |
| Package Type | — | 484-ball FBGA (PBGA) |
| JEDEC Package Code | — | S-PBGA-B484 |
| User I/O | — | 218 |
| Transceiver Channels | — | Up to 8 |
| Maximum Transceiver Data Rate | — | 3.125 Gbps |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Active Serial |