EP4S100G2F40I3G vs EP4SGX110HF35I3G مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4S100G2F40I3G بواسطة Intel و EP4SGX110HF35I3G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4S100G2F40I3G | EP4SGX110HF35I3G |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Series | Stratix IV GT | — |
| Family | Stratix IV | Stratix IV GX |
| Logic Elements | 228,000 | 105,600 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 91,200 | — |
| Total RAM Bits | 17,544,192 | — |
| العلبة | 1517-BBGA, FCBGA (40x40 mm) | 1152-ball FC-FBGA (HF35), 35 x 35 mm, 1.0 mm pitch |
| Operating Voltage (Core) | 0.86 V to 1.15 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to 100 °C Tj (industrial) | — |
| Process Technology | 40 nm | 40 nm low-power CMOS |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (Flip-Chip BGA) |
| Number of I/O | [DATA_NEEDED: pin/ball count - exact user I/O count] | — |
| Transceivers | [DATA_NEEDED: number of high-speed transceivers] | — |
| DSP Blocks | [DATA_NEEDED: DSP block count] | — |
| User Flash Memory | [DATA_NEEDED: configuration flash size] | — |
| Configuration Scheme | SRAM-based, configuration via JTAG/AS/PS/Fast passive parallel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Embedded Memory Bits | — | 9,793,536 (9.4 Mbit) |
| Maximum User I/O Pins | — | 488 |
| Multipliers (18x18) | — | 352 |
| Core Supply Voltage (nominal) | — | 0.9 V |
| Speed/Grade | — | I3 (Industrial, -3 speed) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +100 C |
| Multi-Gigabit Transceivers | — | 8 channels (3.125 Gbps to 8.5 Gbps per family datasheet) |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1/Gen2, external memory PHY |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free |
| Configuration Memory | — | SRAM-based (volatile, requires configuration device) |