H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NAFR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-PBC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NAFR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NAFR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
حجم الذاكرة 8 Gbit —
معدل البيانات [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] —
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
العلبة FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) FBGA-96 (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
الواجهة Parallel, synchronous to both clock edges —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
حالة RoHS Compliant Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Density — 8 Gb
التنظيم — 512M x 16
Core Supply Voltage — 1.2 V
Technology — CMOS
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Family — H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر