H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Mobile LPDDR4
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb (2 GB)
التنظيم 1G x 16 1G x 16
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
العلبة FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA-96)
نوع التركيب Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
نوع الواجهة Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
حالة دورة الحياة Active production —
الواجهة — CMOS, Double Data Rate IV
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر