H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-RDC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $68.91 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb (2 GB) | 16 Gbit |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| الواجهة | — | Parallel |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |