H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCR-VKC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $68.91 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 2G x 8 | — |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate 4) | Parallel |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] | 3200 Mbps/pin |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Banks | 16 banks (4 bank groups x 4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Refresh Mode | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] | — |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (PC / server / embedded) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |