H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG6NCR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG6NCR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $65.63 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 2G x 8 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 Mbps (PC4-25600 class) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb (2 GB) |
| Package Body | — | Rectangular, 8 mm width |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A |
| Number of Terminals (Balls) | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |