H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG6NCR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NCR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG6NCR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $65.63 $72.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
メモリ構成 2G x 8 1G x 16
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 96-ball FBGA
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
メモリサイズ — 16 Gb (2 GB)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

データシート&リソース

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