H5TC4G63AFR-PBR vs H5TC4G63AFR-G7A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBR بواسطة SK hynix و H5TC4G63AFR-G7A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63AFR-PBR | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $5.91 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Capacity | 4Gb | — |
| جهد التغذية | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35V |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| زمن الوصول CAS | 11 | Programmable (e.g., 11) |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| tCK | 1.25 ns | — |
| tRCD | 13.125 ns | — |
| Burst Length | 8 (BL8) with burst chop (BC4) | 8 and 4 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Interval | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13.5mm x 9.0mm | — |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| I/O Interface | SSTL-15 | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| Density | — | 4Gb |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| Process Technology | — | CMOS |