H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63CFR-H9I مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-H9J بواسطة SK hynix و H5TC4G63CFR-H9I بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63CFR-H9J | H5TC4G63CFR-H9I |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| العلبة | 96-ball TFBGA | 96-ball TFBGA |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Temperature Grade | Industrial | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.35 V |
| I/O Voltage | — | 1.35 V |
| معدل البيانات | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Memory Width | — | 16 bits |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable (11, 12, 13) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |