H5TC4G63CFR-XXJ vs MT41K256M16TW-107 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-xxJ بواسطة SK hynix و MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63CFR-xxJ | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.10 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK#) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM Mask | Yes | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency options] | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| جهد التغذية | — | 1.35 V |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |