HI5812JIBZ vs HI5812JIBZ-T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ HI5812JIBZ بواسطة Renesas Electronics و HI5812JIBZ-T بواسطة Renesas Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | HI5812JIBZ | HI5812JIBZ-T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| الفئة | ADC/DAC | ADC/DAC |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الدقة | 12 bit | 12 bits |
| Architecture | SAR (Successive Approximation) with internal Track-and-Hold | SAR (Successive Approximation Register) with internal Track-and-Hold |
| Number of Channels | 1 single-ended input | — |
| Sample Rate | 50 kSPS (max) | — |
| Conversion Time | 20 us (typical) | 20 us (max at 5 V supply) |
| نطاق جهد الدخل | 0 V to VREF (unipolar) | — |
| Reference Voltage (VREF) | [DATA_NEEDED: VREF max] | — |
| Integral Linearity Error (INL) | 1.5 LSB (max) | — |
| Analog Supply Voltage (VDD) | +5 V | — |
| Digital Interface | Parallel, user-selectable 12-bit / 8-bit MSB / 4-bit LSB | — |
| نوع الخرج | Three-state CMOS, latched across one full conversion | — |
| Control Inputs/Outputs | CONVERT_START (input), DATA_READY (flag) | — |
| Internal Clock | On-chip oscillator | — |
| Power Dissipation | 25 mW | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +85 C | — |
| Package / Mounting | 24-pin SOIC (wide body), surface mount | — |
| Process Technology | High-speed CMOS with thin-film DAC | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Input Channels | — | 1 single-ended |
| معدل أخذ العينات | — | 50 kSPS (max) |
| Data Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 3 V to 6 V (single supply) |
| Supply Current (typ. at 5 V) | — | 1.9 mA |
| Input Type | — | Single-ended analog input |
| العلبة / الحالة | — | 24-SOIC (0.295 inch / 7.50 mm width) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +85 C |
| Power Dissipation (max) | — | 25 mW |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |