IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6N028ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N06S5L073ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| العلبة | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |