IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N06S5L011ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5N011ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS-5
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (Tj)
RoHS Compliance — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر