IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) AEC-Q101
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر