IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N10S5L110ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S5L110TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™-5 OptiMOS 5
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
العلبة PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
مستوى MSL 1 (per LCSC datasheet snippet) MSL1 (260°C peak reflow)
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product classification) —
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Technology — N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر