IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N019GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L050HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
العلبة PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Series — OptiMOS™ 7
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر