IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Paket | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |