IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS-7 trench
العلبة PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-43
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (typical automotive) -55 °C to +175 °C
تبديد القدرة (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
حالة RoHS — Compliant
عدد الأطراف — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر