IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S7L180ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5L015ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S7L180ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 39 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 16.1 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Typical RDS(on) | 18 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.6 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 272 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 668 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7 pF | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| حالة RoHS | EU RoHS Compliant with Exemption | Compliant |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Status | Active | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |